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Diodes (1803)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Température de fonctionnels	Type de Montage	Package / ÉTUI	Numéro de Protuit de Base	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Fiche de Donnés	Statt Rohs	Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL)	Statt de Portée	Noms Autres	ECCN	HTSUS	Norme de package	Vitre	Courant - Max	Dissipation de Puisse (max)	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f	Type de diode	Tension - Pic inverse (max)	Résistance @ si, f	Rapport de capacité	Condition de rapport de capacité	Q @ VR, F
ND175N34KHPSA1	-	RFQ	9954	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète				ND175N			-	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		OBSOLÈTE		3
IDL06G65C5XUMA1	-	RFQ	9276	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Abandonné à sic		Support de surface	4 Powertsfn	Idl06g65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG-VSON-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté	SP000941310	EAR99	8541.10.0080	3 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 6 A	0 ns	110 µA à 650 V	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	190pf @ 1v, 1MHz
IRD3CH11DD6	-	RFQ	9465	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète				IRD3CH11			télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1
IDH02SG120XKSA1	-	RFQ	3421	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Obsolète		Par le trou	À 220-2	Idh02	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	500	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				1200 V		1,8 V @ 2 A	0 ns	48 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	125pf @ 1v, 1MHz
BAS4006E6327HTSA1	0,4200	RFQ	23	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS4006	Schottky	PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			1 paire Commune d'anode	40 V	120mA (DC)	1 V @ 40 Ma	100 PS	1 µA @ 30 V	150 ° C (max)
BAT6405WH6327XTSA1	0,4700	RFQ	2174	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, BAT64	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	SC-70, SOT-323	BAT6405	Schottky	PG-Sot323	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			1 paire la commune de cathode	40 V	250mA	750 mV @ 100 mA	5 ns	2 µA @ 30 V	150 ° C (max)
MMBD914LT1	1 0000	RFQ	4045	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3		Standard	SOT-23-3 (à 236)	télécharger	Rohs non conforme				EAR99	8541.10.0070	3 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse				100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V		200m	4pf @ 0v, 1mhz
BAT1705E6327HTSA1	-	RFQ	8585	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	150 ° C (TJ)		À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT1705		PG-Sot23	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		130 mA	150 MW									0,75pf @ 0v, 1mhz	Schottky - 1 paire cathode commune	4V	15OHM @ 5MA, 10KHz
IDH20G120C5XKSA1	12.9500	RFQ	2	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	IDH20G120	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				1200 V		1,8 V @ 20 A	0 ns	123 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	56a	1050pf @ 1v, 1MHz
SIDC07D60F6X1SA3	-	RFQ	4782	Infineon Technologies	-	En gros	Obsolète		Support de surface	Mourir	Sidc07d60	Standard	Mourir	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)				600 V		1,6 V @ 22,5 A		27 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 175 ° C	22.5A	-
Bar6402ele6327xtma1	0,4100	RFQ	24	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)		0402 (1006 MÉTrique)	BAR6402		PG-TSLP-2-19	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	15 000		100 mA	250 MW									0,35pf @ 20v, 1 MHz	Broche - simple	150V	1,35 ohm @ 100mA, 100MHz
BAS 70-02W E6327	-	RFQ	2761	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	SC-80	Bas 70	Schottky	SCD-80	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse				70 V		1 V @ 15 mA	100 PS	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 125 ° C	70mA	2pf @ 0v, 1mhz
SIDC06D120E6X1SA3	-	RFQ	1491	Infineon Technologies	-	En gros	Abandonné à sic		Support de surface	Mourir	SIDC06D120	Standard	Scion sur le papier d'Aluminium	télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)				1200 V		1,9 V @ 5 A		27 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
BAT54WH6327	1 0000	RFQ	8290	Infineon Technologies	-	En gros	Actif		Support de surface	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky	PG-Sot323-3	télécharger	Non applicable	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse				30 V		800 mV à 100 mA	5 ns	2 µA @ 25 V	150 ° C	200m	10pf @ 1v, 1MHz
IDL02G65C5XUMA2	1.8700	RFQ	5308	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	4 Powertsfn	Idl02g65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG-VSON-4	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	35 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	70pf @ 1v, 1MHz
DZ600N14KHPSA1	-	RFQ	6683	Infineon Technologies	-	Plateau	Obsolète		Soutenir de châssis	Module	DZ600N14	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	3	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)				1400 V		1,4 V @ 2200 A		40 mA @ 1400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	735a	-
BAT240AE6327HTSA1	-	RFQ	4960	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	À 236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT240A	Schottky	PG-Sot23	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000	Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO)			Connexion de la Séririe 1 paire	240 V	400mA (DC)	900 mV @ 400 mA		5 µA @ 200 V	150 ° C (max)
DD171N12KKHPSA1	-	RFQ	9363	Infineon Technologies	DD171N	En gros	Obsolète		Soutenir de châssis	Module	DD171N12	Standard	Module	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	8	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)			Connexion de la Séririe 1 paire	1200 V	171a	1,26 V @ 500 A		20 mA @ 1200 V	150 ° C
BBY5702WH6327XTSA1	-	RFQ	9474	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Support de surface	SC-80	BBY57		SCD-80	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000												5.5pf @ 4v, 1MHz	Célibataire	10 V		4.5	C1 / C4	-
BAT15099E6327HTSA1	0,6900	RFQ	4	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Actif	150 ° C (TJ)		À 253-4, à 253aa	BAT15099		PG-SOT-143-3D	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000		110 mA	100 MW									0,35pf @ 0v, 1mhz	Schottky - 2 Independent	4V	-
BAV99SE6433HTMA1	-	RFQ	7794	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète		Support de surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	Bav99	Standard	Pg-sot363-po	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	10 000	Petit signal = <200mA (IO), Toute Vinesse			Connexion de la Série de 2 paires	80 V	200mA (DC)	1,25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (max)
BB535E7908HTSA1	-	RFQ	8624	Infineon Technologies	-	Ruban Adhésif (tr)	Obsolète	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Support de surface	SC-76, SOD-323	BB535		PG-SOD323-2	télécharger		1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000												2,3pf @ 28v, 1MHz	Célibataire	30 V		9.8	C1 / C28	-
BB639E7908	-	RFQ	1104	Infineon Technologies	*	Ruban de Coupé (CT)	Obsolète				BB639			télécharger	Rohs non conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0070	3 000
IDK02G65C5XTMA2	1.8600	RFQ	4988	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IDK02G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 263-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,8 V @ 2 A	0 ns	330 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	70pf @ 1v, 1MHz
IDK04G65C5XTMA2	2.5800	RFQ	885	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IDK04G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 263-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,8 V @ 4 A	0 ns	670 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	130pf @ 1v, 1MHz
Idk08g65c5xtma2	4.3500	RFQ	7505	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Ruban Adhésif (tr)	Actif		Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	IDK08G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 263-2	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	1 000	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,8 V @ 8 A	0 ns		-55 ° C ~ 175 ° C	8a	250pf @ 1v, 1MHz
IDH04G65C5XKSA2	2.5600	RFQ	4	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	IDH04G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 4 A	0 ns	70 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	4A	130pf @ 1v, 1MHz
IDH12G65C5XKSA2	6.5300	RFQ	618	Infineon Technologies	Coolsic ™ +	Tube	Actif		Par le trou	À 220-2	IDH12G65	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	PG à 220-2-1	télécharger	Rohs3 conforme	1 (illimité)	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	50	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)				650 V		1,7 V @ 12 A	0 ns	190 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	12A	360pf @ 1v, 1mhz
D1031SH45TXPSA1	1 0000	RFQ	9019	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Do-200ad	D1031SH45	Standard	-	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)				4500 V		4.2 V @ 2500 A		100 mA @ 4500 V	0 ° C ~ 140 ° C	1450a	-
D1331SH45TXPSA1	1 0000	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Plateau	Actif		Soutenir de châssis	Do00ae	D1331SH45	Standard	-	télécharger	Rohs3 conforme	Non applicable	Atteindre non affecté		EAR99	8541.10.0080	2	Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO)				4500 V		4.2 V @ 2500 A		150 mA @ 4500 V	0 ° C ~ 140 ° C	1710a	-

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (1803)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²