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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRH15040RL | - | ![]() | 7961 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky, polaté inversée | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 600 mV @ 150 A | 5 ma @ 40 V | 150a | - | |||||||
![]() | Mbrh20030rl | - | ![]() | 8472 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky, polaté inversée | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 580 MV @ 200 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200A | - | ||||||
![]() | MBRT200150 | 98.8155 | ![]() | 4589 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 100A | 880 MV @ 100 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRT200200 | 98.8155 | ![]() | 2839 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRT300200 | 107.3070 | ![]() | 7152 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 150a | 920 MV @ 150 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRT30045L | - | ![]() | 9877 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 150a | 600 mV @ 150 A | 3 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | Mbrt40035rl | - | ![]() | 3676 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 35 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | Mbrt40040rl | - | ![]() | 1556 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRT500200 | - | ![]() | 5882 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRT600150 | 140.2020 | ![]() | 7951 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Mbrt60020rl | - | ![]() | 2670 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 20 V | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | Mbrt60040rl | - | ![]() | 4824 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 300A | 600 mV à 300 A | 5 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MSRT100140AD | 54.0272 | ![]() | 4745 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT100 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1400 V | 100A | 1,1 V @ 100 A | 10 µA @ 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRT100160AD | 54.0272 | ![]() | 2247 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT100 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 100A | 1,1 V @ 100 A | 10 µA à 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRT150120AD | 71.6012 | ![]() | 8971 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT150 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1200 V | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRT150140AD | 71.6012 | ![]() | 9567 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT150 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1400 V | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA @ 1400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRT150160AD | 71.6012 | ![]() | 4590 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT150 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 150a | 1.1 V @ 150 A | 10 µA à 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRT200100AD | 80.4872 | ![]() | 2155 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT200 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1000 V | 200A | 1,1 V @ 200 A | 10 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRT200160AD | 80.4872 | ![]() | 2549 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT200 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 1600 V | 200A | 1,1 V @ 200 A | 10 µA à 1600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MSRTA30080AD | 113.5544 | ![]() | 3891 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRTA300 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | Connexion de la Séririe 1 paire | 800 V | 300A | 1.1 V @ 300 A | 20 µA à 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | Mur2x120a02 | 50.2485 | ![]() | 2903 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Mur2x120 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 200 V | 120a | 1 V @ 120 A | 25 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | Murta20040 | 145.3229 | ![]() | 3322 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Murta300120 | 159.9075 | ![]() | 2294 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 150a | 2,6 V @ 150 A | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Murta400120 | 174.1546 | ![]() | 4800 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 200A | 2,6 V @ 200 A | 25 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Murta600120 | 207.4171 | ![]() | 4406 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 300A | 2,6 V @ 300 A | 25 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
SD4145R | 14.3280 | ![]() | 5296 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | SD4145 | Schottky, polaté inversée | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 680 MV @ 30 A | 1,5 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||
![]() | MBR2X050A200 | 43.6545 | ![]() | 4119 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1299 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 200 V | 100A | 920 MV @ 50 A | 3 Ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | MBR2X060A045 | 52.2000 | ![]() | 1523 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1300 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 45 V | 120a | 700 mV @ 60 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | MBR2X080A045 | 53.8500 | ![]() | 158 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X080 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1301 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 45 V | 80A | 700 mV @ 80 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C |
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