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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S40V | 6.9421 | ![]() | 3919 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S40vgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1400 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 160 ° C | 40a | - | |||||
![]() | GKR240 / 18 | 73.7988 | ![]() | 1600 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AB, DO-9, Stud | GKR240 | Polateté Standard et inverse | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1800 V | 1,5 V @ 60 A | 22 Ma @ 1800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 165a | - | |||||
![]() | FST100200 | 65.6445 | ![]() | 6424 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 50A | 920 MV @ 50 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | FST6380M | - | ![]() | 9771 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 30A | 840 MV @ 30 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | Murta40040r | 159.9075 | ![]() | 2911 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Murta40040 | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 400 V | 200A | 1,3 V @ 200 A | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBR300200CTR | 94.5030 | ![]() | 9237 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR300200 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 150a | 920 MV @ 150 A | 3 Ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | S320M | 63.8625 | ![]() | 2277 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AB, DO-9, Stud | S320 | Standard | DO-205AB (DO-9) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S320MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 300 A | 10 µA @ 600 V | -60 ° C ~ 180 ° C | 320A | - | ||||
![]() | MBRF500200 | - | ![]() | 8829 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | S6kr | 3.8625 | ![]() | 2891 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | S6k | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S6krgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 6 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||
![]() | GKN71 / 08 | 12.3735 | ![]() | 6788 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | GKN71 | Standard | Do-5 | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,5 V @ 60 A | 10 ma @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 95a | - | |||||
![]() | Murf40010 | - | ![]() | 6036 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Standard | À 244 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 200A | 1 V @ 200 A | 150 ns | 25 µA à 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | S70 ANS | 10.2225 | ![]() | 8638 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S70y | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S70yrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1.1 V @ 70 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 70a | - | ||||
![]() | MBR30045CTL | - | ![]() | 7090 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 150a | 600 mV @ 150 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | FR16K05 | 8.2245 | ![]() | 6816 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||
![]() | Mur10020ctr | 75.1110 | ![]() | 3597 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MUR10020 | Standard | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur10020ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 50A | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | MBRT50020 | - | ![]() | 6549 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT50020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | S150MR | 35.5695 | ![]() | 7281 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AA, DO-8, Stud | S150 | Polateté Standard et inverse | DO-205AA (DO-8) | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S150mrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,2 V @ 150 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||
![]() | FST100100 | 65.6445 | ![]() | 3909 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FST100100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 100A | 840 MV @ 100 A | 2 ma @ 20 V | ||||||
![]() | MURF20040 | - | ![]() | 7848 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Standard | À 244ab | - | 1 (illimité) | MURF20040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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