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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mur40060ct | 132.0780 | ![]() | 8806 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Mur40060 | Standard | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur40060ctgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 600 V | 200A | 1,3 V @ 125 A | 180 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
FR85GR02 | 24.1260 | ![]() | 1023 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1010 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | ||||||
![]() | FR85DR02 | 24.1260 | ![]() | 5504 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR85DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1,4 V @ 85 A | 200 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 85a | - | |||||
![]() | MBRH20020L | - | ![]() | 4198 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 580 MV @ 200 mA | 3 Ma @ 20 V | 200A | - | |||||||||
![]() | MBR40020CT | 98.8155 | ![]() | 7553 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR40020 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR40020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 200A | 650 MV @ 200 A | 5 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRH30020L | - | ![]() | 7488 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 300A | - | ||||||||
![]() | FST8330SM | - | ![]() | 4744 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3SM | Schottky | D61-3SM | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | FST8330SMGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 80A (DC) | 650 mV @ 80 A | 1,5 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRT12045 | 75.1110 | ![]() | 8752 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT12045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 60A | 750 MV @ 60 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | Mur2x030a10 | - | ![]() | 4565 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1307 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 1000 V | 30A | 2,35 V @ 30 A | 85 ns | 25 µA à 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | 1N3893R | 9.3600 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N3893R | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,4 V @ 12 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | |||||
![]() | Mur2x030a06 | - | ![]() | 5864 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1306 | EAR99 | 8541.10.0080 | 13 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 600 V | 30A | 1,5 V @ 30 A | 60 ns | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | Mur2x030a04 | 36.7500 | ![]() | 4368 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Mur2x030 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 400 V | 30A | 1,3 V @ 30 A | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||
![]() | MBRT20020 | 98.8155 | ![]() | 6190 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT20020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 100A | 750 MV @ 100 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | FST12030 | 70.4280 | ![]() | 4774 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FST12030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 120A (DC) | 650 MV @ 120 A | 2 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR30040CTR | 94.5030 | ![]() | 5808 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR30040 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR30040ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 150a | 650 mV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRT12045R | 75.1110 | ![]() | 9681 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MBRT12045 | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT12045RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 45 V | 60A | 750 MV @ 60 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRH30045L | - | ![]() | 8866 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 600 mV à 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 300A | - | ||||||||
![]() | Mur2x100a02 | 52.2000 | ![]() | 3389 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Mur2x100 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1312 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 200 V | 100A | 1 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||
![]() | FST6360M | - | ![]() | 3705 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 30A | 750 MV @ 30 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR75100 | 20.8845 | ![]() | 6153 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR75100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 840 MV @ 75 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | ||||||
![]() | MSRTA400160A | 60 2552 | ![]() | 8098 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRTA400160 | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1600 V | 400A (DC) | 1,2 V @ 400 A | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | FR70B05 | 17.5905 | ![]() | 9335 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR70B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 70a | - | |||||
1N6098 | 24.1300 | ![]() | 5218 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N6098 | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1107 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 700 mV @ 50 A | 5 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||
![]() | MBRF60040 | - | ![]() | 6189 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 300A (DC) | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
![]() | MBR12060CT | 68.8455 | ![]() | 9223 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR12060 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1084 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 60 V | 120A (DC) | 750 MV @ 60 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Murta60040 | 188.1435 | ![]() | 8920 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murta60040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 300A | 1,5 V @ 300 A | 220 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBR50040CTR | - | ![]() | 7408 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR50040ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRT30030L | - | ![]() | 1606 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 150a | 580 MV @ 150 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | Mbrta60040rl | - | ![]() | 1763 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 300A | 600 mV à 300 A | 5 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | FR30DR02 | 10.5930 | ![]() | 9136 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR30DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30A | - |
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