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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR70B05 | 17.5905 | ![]() | 9335 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR70B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1,4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 70a | - | |||||
1N6098 | 24.1300 | ![]() | 5218 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N6098 | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1107 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 700 mV @ 50 A | 5 ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||
![]() | MBRF60040 | - | ![]() | 6189 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 300A (DC) | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
![]() | MBR12060CT | 68.8455 | ![]() | 9223 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR12060 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1084 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 60 V | 120A (DC) | 750 MV @ 60 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Murta60040 | 188.1435 | ![]() | 8920 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murta60040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 400 V | 300A | 1,5 V @ 300 A | 220 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBR50040CTR | - | ![]() | 7408 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR50040ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRT30030L | - | ![]() | 1606 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 150a | 580 MV @ 150 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR7535R | 21.9195 | ![]() | 1581 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR7535 | Schottky, polaté inversée | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR7535RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 750 MV @ 75 A | 1 ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | |||||
![]() | Mbrta60040rl | - | ![]() | 1763 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 300A | 600 mV à 300 A | 5 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | FR30DR02 | 10.5930 | ![]() | 9136 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR30DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 30 A | 200 ns | 25 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30A | - | |||||
![]() | MBR6060R | 21.3105 | ![]() | 3703 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR6060 | Schottky, polaté inversée | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR6060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 60 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||
![]() | MBRF300100 | - | ![]() | 9734 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | MBRF3001 | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 150a | 840 MV @ 150 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR2X080A060 | 48.6255 | ![]() | 7179 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X080 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 60 V | 80A | 750 MV @ 80 A | 1 ma @ 60 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBRH30045RL | - | ![]() | 9842 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 600 mV à 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 300A | - | ||||||||
![]() | Murt20020 | 104.4930 | ![]() | 4592 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt20020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 100A | 1,3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRH15035RL | - | ![]() | 5227 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky, polaté inversée | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 35 V | 600 mV @ 150 A | 3 Ma @ 35 V | 150a | - | |||||||||
![]() | MBRF600100R | - | ![]() | 3566 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 100 V | 250a | 840 MV @ 250 A | 1 ma @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | GKN130 / 04 | 35.0777 | ![]() | 6161 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AA, DO-8, Stud | GKN130 | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1,5 V @ 60 A | 22 Ma @ 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 165a | - | ||||||
![]() | MBR6080R | 21.3105 | ![]() | 7547 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR6080 | Schottky, polaté inversée | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR6080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 840 MV @ 60 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||
![]() | MBR30060CT | 94.5030 | ![]() | 4668 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR30060 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR30060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 60 V | 150a | 750 MV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Gkr26 / 12 | - | ![]() | 3728 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1,55 V @ 60 A | 4 Ma @ 1200 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 25A | - | ||||||||
![]() | GC2X8MPS12-247 | 8.5400 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | SIC SCHOTTKY MPS ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-3 | Gc2x8 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-3 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1242-1327 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 40A (DC) | 1,8 V @ 8 A | 0 ns | 7 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
![]() | Mur10020ctr | 75.1110 | ![]() | 3597 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MUR10020 | Standard | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur10020ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 50A | 1,3 V @ 50 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | FR16K05 | 8.2245 | ![]() | 6816 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 16 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||
![]() | S6kr | 3.8625 | ![]() | 2891 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | S6k | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S6krgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 6 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||
![]() | S70 ANS | 10.2225 | ![]() | 8638 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S70y | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S70yrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1600 V | 1.1 V @ 70 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 70a | - | |||||
![]() | MBRT50020 | - | ![]() | 6549 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT50020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 250a | 750 MV @ 250 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | Mur30010ct | 118.4160 | ![]() | 3681 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Mur30010 | Standard | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur30010ctgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 150a | 1,3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | GKN71 / 08 | 12.3735 | ![]() | 6788 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | GKN71 | Standard | Do-5 | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,5 V @ 60 A | 10 ma @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 95a | - | ||||||
![]() | MBRF500200 | - | ![]() | 8829 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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