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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSRTA400160A | 60 2552 | ![]() | 8098 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRTA400160 | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1600 V | 400A (DC) | 1,2 V @ 400 A | 25 µA à 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MBRH120200R | 60.0375 | ![]() | 9520 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | D-67 | MBRH120200 | Schottky | D-67 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 920 MV @ 120 A | 1 ma @ 200 V | 120a | - | ||||||
![]() | MBR30045CT | 94.5030 | ![]() | 7555 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR30045 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR30045CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 150a | 650 mV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | Murt10060r | 93.0525 | ![]() | 9440 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Murt10060 | Polateté Standard et inverse | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt10060rgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 600 V | 50A | 1,7 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | FR12JR05 | 6.8085 | ![]() | 8043 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR12JR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 800 mV @ 12 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||
![]() | FST6330M | - | ![]() | 7370 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 30 V | 30A | 700 mV @ 30 A | 1 ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR3580R | 15.1785 | ![]() | 8931 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | MBR3580 | Schottky, polaté inversée | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR3580RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 80 V | 840 MV @ 35 A | 1,5 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 35a | - | ||||
![]() | 1N5829R | 14.8695 | ![]() | 9828 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N5829R | Schottky, polaté inversée | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N5829RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 20 V | 580 MV @ 25 A | 2 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||
![]() | MBR40020CT | 98.8155 | ![]() | 7553 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR40020 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR40020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 200A | 650 MV @ 200 A | 5 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | MBRT12045 | 75.1110 | ![]() | 8752 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT12045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 60A | 750 MV @ 60 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | MSRT200160A | 48.2040 | ![]() | 3129 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MSRT200 | Standard | Tournée trois | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1600 V | 200A (DC) | 1,2 V @ 200 A | 10 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | FR12MR05 | 7.0500 | ![]() | 1218 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR12MR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1,4 V @ 12 A | 500 ns | 25 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||
![]() | S25BR | 5.2485 | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | S25B | Polateté Standard et inverse | - | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S25BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||
![]() | MBR2X050A045 | 43.6545 | ![]() | 9844 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 45 V | 50A | 700 mV @ 50 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | Murt30010 | 118.4160 | ![]() | 5586 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Standard | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Murt30010gn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 150a | 1,3 V @ 150 A | 100 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
![]() | FST16040L | - | ![]() | 6440 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 40 V | 80A | 600 mV @ 80 A | 2 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | FST16020 | 75.1110 | ![]() | 7572 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FST16020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 160a (DC) | 750 MV @ 160 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||
![]() | 1N1189R | 7.4730 | ![]() | 7084 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1189R | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N1189RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1,2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 35a | - | ||||
![]() | MBRTA60020R | - | ![]() | 6358 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 20 V | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRT600100R | 140.2020 | ![]() | 5498 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | MBRT600100 | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBRT600100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 100 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 1 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||
S85vr | 15.2800 | ![]() | 597 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S85V | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1400 V | 1,1 V @ 85 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 85a | - | ||||||
![]() | FR40DR02 | 13.8360 | ![]() | 6212 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR40DR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 200 V | 1 V @ 40 A | 200 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40a | - | ||||
![]() | Mur30010ct | 118.4160 | ![]() | 3681 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Mur30010 | Standard | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Mur30010ctgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 150a | 1,3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||
![]() | MBR20045CT | 90.1380 | ![]() | 2192 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR20045 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR20045CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 200A (DC) | 650 mV @ 100 A | 5 ma @ 20 V | |||||
![]() | Gkr26 / 08 | - | ![]() | 8755 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | Do-4 | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1,55 V @ 60 A | 4 Ma @ 800 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 25A | - | |||||||
![]() | 1N5834 | 18.7230 | ![]() | 8087 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N5834 | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N5834GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 590 MV @ 40 A | 20 mA @ 10 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 40a | - | ||||
![]() | S40V | 6.9421 | ![]() | 3919 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S40vgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1400 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 160 ° C | 40a | - | |||||
![]() | GKR240 / 18 | 73.7988 | ![]() | 1600 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-205AB, DO-9, Stud | GKR240 | Polateté Standard et inverse | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1800 V | 1,5 V @ 60 A | 22 Ma @ 1800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 165a | - | |||||
![]() | FST100200 | 65.6445 | ![]() | 6424 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 50A | 920 MV @ 50 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | FST6380M | - | ![]() | 9771 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 80 V | 30A | 840 MV @ 30 A | 1 ma @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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