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Diodes (2089)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
FR85K05 GeneSiC Semiconductor FR85K05 23.1210
RFQ
 ECAD 5638 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR85K05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
MBRT600200R GeneSiC Semiconductor MBRT600200R 140.2020
RFQ
 ECAD 7606 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT600200 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 200 V 300A 920 MV @ 300 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N2135AR GeneSiC Semiconductor 1N2135AR 8.9025
RFQ
 ECAD 2479 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N2135AR Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N2135argn EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 400 V 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
MSRT250120A GeneSiC Semiconductor MSRT250120A 54.2296
RFQ
 ECAD 9058 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT250120 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 250a (DC) 1,2 V @ 250 A 15 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70G02 GeneSiC Semiconductor FR70G02 21.1300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1039 EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 70 A 200 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
KBU8B GeneSiC Semiconductor Kbu8b 0,7425
RFQ
 ECAD 7012 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Kbu8 Standard Kbu télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Kbu8bgn EAR99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 A 10 µA à 100 V 8 A Monophasé 100 V
FST16045 GeneSiC Semiconductor FST16045 75.1110
RFQ
 ECAD 4881 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FST16045GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 160a (DC) 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20080R GeneSiC Semiconductor MBRH20080R 70.0545
RFQ
 ECAD 3860 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 MBRH20080 Schottky, polaté inversée D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH20080RGN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 80 V 840 MV @ 200 A 5 ma @ 20 V 200A -
MBRF40020 GeneSiC Semiconductor MBRF40020 -
RFQ
 ECAD 2932 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 20 V 200A 700 mV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR20060CTR GeneSiC Semiconductor Mur20060ctr 101.6625
RFQ
 ECAD 5262 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée Mur20060 Standard Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Mur20060ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 600 V 100A 1,7 V @ 50 A 110 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50060 GeneSiC Semiconductor MBRT50060 -
RFQ
 ECAD 6236 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT50060GN EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 250a 800 mV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3766R GeneSiC Semiconductor 1N3766R 6.2320
RFQ
 ECAD 4368 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3766R Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3766RGN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 800 V 1,2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MBRF60045R GeneSiC Semiconductor MBRF60045R -
RFQ
 ECAD 5037 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 45 V 300A (DC) 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
RFQ
 ECAD 4998 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Jumelle de tournée Schottky Jumelle de tournée - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 150a 580 MV @ 150 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60030 GeneSiC Semiconductor MBRF60030 -
RFQ
 ECAD 8323 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 300A (DC) 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
S70B GeneSiC Semiconductor S70B 9.8985
RFQ
 ECAD 6419 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) S70BGN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 100 V 1.1 V @ 70 A 10 µA à 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
MBR30060CTR GeneSiC Semiconductor MBR30060CTR 94.5030
RFQ
 ECAD 1364 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Jumelle de tournée MBR30060 Schottky Jumelle de tournée télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR30060ctrgn EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 60 V 150a 750 MV @ 150 A 8 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH120100 GeneSiC Semiconductor MBRH120100 60.0375
RFQ
 ECAD 1464 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRH120100GN EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 840 MV @ 120 A 4 ma @ 20 V 120a -
MSRTA600120A GeneSiC Semiconductor MSRTA600120A 109.2000
RFQ
 ECAD 9506 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Module 3 md MSRTA600120 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 1200 V 600A (DC) 1,2 V @ 600 A 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH120150 GeneSiC Semiconductor MBRH120150 60.0375
RFQ
 ECAD 3320 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 36 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 150 V 880 MV @ 120 A 1 ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 120a -
1N3208 GeneSiC Semiconductor 1N3208 7.0650
RFQ
 ECAD 3482 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3208 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3208GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
FR70BR02 GeneSiC Semiconductor FR70BR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6342 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR70BR02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1,4 V @ 70 A 200 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
MBRH30030RL GeneSiC Semiconductor MBRH30030RL -
RFQ
 ECAD 2434 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D-67 Schottky D-67 - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 30 V 580 mV @ 300 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
MBRT500200R GeneSiC Semiconductor MBRT500200R -
RFQ
 ECAD 1499 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 200 V 250a 920 MV @ 250 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
KBU6J GeneSiC Semiconductor Kbu6j 0,7035
RFQ
 ECAD 1631 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbu Kbu6 Standard Kbu télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Kbu6jgn EAR99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 A Monophasé 600 V
MBR3540R GeneSiC Semiconductor MBR3540R 15.1785
RFQ
 ECAD 2152 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud MBR3540 Schottky, polaté inversée Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBR3540RGN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 40 V 680 MV @ 35 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
FR85G05 GeneSiC Semiconductor FR85G05 23.1210
RFQ
 ECAD 4454 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR85G05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
KBL602G GeneSiC Semiconductor KBL602G 0,5805
RFQ
 ECAD 8316 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, kbl KBL602 Standard Kbl télécharger Rohs conforme 1 (illimité) KBL602GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V 6 A Monophasé 100 V
1N3767 GeneSiC Semiconductor 1N3767 6.2320
RFQ
 ECAD 3763 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud 1N3767 Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1N3767GN EAR99 8541.10.0080 100 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 900 V 1,2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247 13.3500
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 ECAD 740 0,00000000 Semi-conducteur Génie SIC SCHOTTKY MPS ™ Tube Actif Par le trou À 247-2 GC50MPS06 Sic (Carbure de Silicium) Schottky À 247-2 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 1242-1346 EAR99 8541.10.0080 30 Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) 650 V 0 ns 175 ° C (max) 50A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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