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Diodes (2089)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
FR16BR02 GeneSiC Semiconductor FR16BR02 8.5020
RFQ
 ECAD 5034 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR16BR02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 900 mV @ 16 A 200 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FR16J02 GeneSiC Semiconductor FR16J02 8.1330
RFQ
 ECAD 3747 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR16J02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 900 mV @ 16 A 250 ns 25 µA à 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FR20A02 GeneSiC Semiconductor FR20A02 9.0510
RFQ
 ECAD 8652 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR20A02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
FR20AR02 GeneSiC Semiconductor FR20AR02 9.3555
RFQ
 ECAD 8191 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR20AR02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
RFQ
 ECAD 9256 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR20JR02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1 V @ 20 A 250 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR30BR02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 100 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
FR30J02 GeneSiC Semiconductor FR30J02 13.4000
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR30J02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
FR40GR05 GeneSiC Semiconductor FR40GR05 13.8360
RFQ
 ECAD 6130 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR40GR05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
FR40M05 GeneSiC Semiconductor FR40M05 12.8985
RFQ
 ECAD 4560 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1 V @ 40 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
FR6AR02 GeneSiC Semiconductor FR6AR02 5.1225
RFQ
 ECAD 2978 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6AR02GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,4 V @ 6 A 200 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
RFQ
 ECAD 9169 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Polateté Standard et inverse Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6AR05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 50 V 1,4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FR6G05 GeneSiC Semiconductor FR6G05 4.9020
RFQ
 ECAD 6711 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6G05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 400 V 1,4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
FR6M05 GeneSiC Semiconductor FR6M05 5.0745
RFQ
 ECAD 8511 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AA, DO-4, Stud Standard Do-4 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR6M05GN EAR99 8541.10.0080 250 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1000 V 1,4 V @ 6 A 500 ns 25 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
FR70JR02 GeneSiC Semiconductor FR70JR02 17.7855
RFQ
 ECAD 6539 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR70JR02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,4 V @ 70 A 250 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
FR70JR05 GeneSiC Semiconductor FR70JR05 17.7855
RFQ
 ECAD 4229 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR70JR05GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,4 V @ 70 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
FR85D02 GeneSiC Semiconductor FR85D02 23.1210
RFQ
 ECAD 3577 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Standard Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FR85D02GN EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 200 V 1,4 V @ 85 A 200 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
FR85JR05 GeneSiC Semiconductor FR85JR05 27.9100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-203AB, DO-5, Stud Polateté Standard et inverse Do-5 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 100 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 600 V 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA à 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 85a -
FST12045 GeneSiC Semiconductor FST12045 70.4280
RFQ
 ECAD 7630 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FST12045GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 120A (DC) 650 MV @ 120 A 2 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST16040 GeneSiC Semiconductor FST16040 75.1110
RFQ
 ECAD 6832 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis À 249ab Schottky À 249ab télécharger Rohs conforme 1 (illimité) FST16040GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 160a (DC) 750 MV @ 160 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST83100SM GeneSiC Semiconductor FST83100SM -
RFQ
 ECAD 1711 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3SM Schottky D61-3SM télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté FST83100SMGN EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 100 V 80A (DC) 840 MV @ 80 A 1,5 Ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
FST8320SM GeneSiC Semiconductor FST8320SM -
RFQ
 ECAD 6365 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3SM Schottky D61-3SM télécharger 1 (illimité) FST8320SMGN EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 20 V 80A (DC) 650 mV @ 80 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST8340M GeneSiC Semiconductor FST8340M -
RFQ
 ECAD 6819 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3M Schottky D61-3M télécharger 1 (illimité) FST8340MGN EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 40 V 80A (DC) 650 mV @ 80 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST8380M GeneSiC Semiconductor FST8380M -
RFQ
 ECAD 2519 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis D61-3M Schottky D61-3M télécharger 1 (illimité) FST8380MGN EAR99 8541.10.0080 30 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 80A (DC) 840 MV @ 80 A 1,5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBL02 GeneSiC Semiconductor Gbl02 2.9400
RFQ
 ECAD 3877 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, gbl Standard Gbl télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 A Monophasé 200 V
MBRT50040R GeneSiC Semiconductor MBRT50040R -
RFQ
 ECAD 9641 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT50040RGN EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50045R GeneSiC Semiconductor MBRT50045R -
RFQ
 ECAD 8302 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT50045RGN EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 45 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60045 GeneSiC Semiconductor MBRT60045 140.2020
RFQ
 ECAD 8840 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT60045GN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 45 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60045R GeneSiC Semiconductor MBRT60045R 140.2020
RFQ
 ECAD 8451 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MBRT60045 Schottky Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) MBRT60045RGN EAR99 8541.10.0080 40 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 45 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT15080A GeneSiC Semiconductor MSRT15080A 38.5632
RFQ
 ECAD 6133 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT150 Standard Tournée trois - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 800 V 150a 1,2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois MSRT200 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 600 V 200A (DC) 1,2 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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