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Diodes (2089)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Type de Montage Package / ÉTUI Numéro de Protuit de Base Technologie Forfait de Périphérique Fournisseur Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Vitre Configuration de diode Tension - DC inverse (VR) (max) COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) Tension - en Avant (vf) (max) @ si Temps de réménage inversé (TRR) Courant - FUITE INVERSEE @ VR Température de FonctionNement - Jonction Current - Rectifié Moyen (IO) Capacité @ vr, f Type de diode Tension - Pic inverse (max)
MBRF40060 GeneSiC Semiconductor MBRF40060 -
RFQ
 ECAD 7203 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 60 V 200A 750 MV @ 200 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF500100R GeneSiC Semiconductor MBRF500100R -
RFQ
 ECAD 5177 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 100 V 250a 840 MV @ 250 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50020R GeneSiC Semiconductor MBRF50020R -
RFQ
 ECAD 2304 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50030 GeneSiC Semiconductor MBRF50030 -
RFQ
 ECAD 8152 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50035 GeneSiC Semiconductor MBRF50035 -
RFQ
 ECAD 1963 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 35 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF50080 GeneSiC Semiconductor MBRF50080 -
RFQ
 ECAD 2997 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 80 V 250a 840 MV @ 250 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60020 GeneSiC Semiconductor MBRF60020 -
RFQ
 ECAD 8539 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire la commune de cathode 20 V 300A 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
MBRF60020R GeneSiC Semiconductor MBRF60020R -
RFQ
 ECAD 3845 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 20 V 300A 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
MBRF60040R GeneSiC Semiconductor MBRF60040R -
RFQ
 ECAD 8038 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète Soutenir de châssis À 244ab Schottky À 244ab - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 25 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 40 V 300A (DC) 650 MV @ 300 A 10 ma @ 20 V -40 ° C ~ 175 ° C
GBPC2502W GeneSiC Semiconductor GBPC2502W 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC2502 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1289 EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA @ 200 V 25 A Monophasé 200 V
GBPC2510W GeneSiC Semiconductor GBPC2510W 4.2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC2510 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1293 EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA à 1000 V 25 A Monophasé 1 kv
MUR2X030A02 GeneSiC Semiconductor Mur2x030a02 36.7500
RFQ
 ECAD 3579 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis SOT-227-4, minibloc Mur2x030 Standard SOT-227 télécharger Rohs conforme 1 (illimité) 1242-1305 EAR99 8541.10.0080 52 Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) 2 indépendant 200 V 30A 1 V @ 30 A 60 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MURTA30060R GeneSiC Semiconductor Murta30060r 159.9075
RFQ
 ECAD 3583 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta30060 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 24 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 600 V 150a 1,7 V @ 150 A 25 µA à 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor MURTA400120R 174.1546
RFQ
 ECAD 9467 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta400120 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 24 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 1200 V 200A 2,6 V @ 200 A 25 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA500120R GeneSiC Semiconductor MURTA500120R 174.1546
RFQ
 ECAD 6602 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta500120 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 24 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 1200 V 250a 2,6 V @ 250 A 25 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA600120R GeneSiC Semiconductor Murta600120r 207.4171
RFQ
 ECAD 5478 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Soutenir de châssis Tournée trois Murta600120 Standard Tournée trois télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 24 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1 paire Commune d'anode 1200 V 300A 2,6 V @ 300 A 25 µA à 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC1501W GeneSiC Semiconductor GBPC1501W 2.4180
RFQ
 ECAD 5572 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC1501 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Gbpc1501wgs EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA @ 100 V 15 A Monophasé 100 V
GBPC2510T GeneSiC Semiconductor GBPC2510T 2.5335
RFQ
 ECAD 4213 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC GBPC2510 Standard GBPC télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA à 1000 V 25 A Monophasé 1 kv
GBPC3506W GeneSiC Semiconductor GBPC3506W 2.8650
RFQ
 ECAD 1659 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC3506 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) Gbpc3506wgs EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 17,5 A 5 µA @ 600 V 35 A Monophasé 600 V
GBPC50005W GeneSiC Semiconductor GBPC50005W 4.0155
RFQ
 ECAD 7032 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC50005 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a Monophasé 50 V
GBPC5006W GeneSiC Semiconductor GBPC5006W 4.0155
RFQ
 ECAD 7989 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC5006 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a Monophasé 600 V
GBPC5010W GeneSiC Semiconductor GBPC5010W 4.0155
RFQ
 ECAD 6532 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, GBPC-W GBPC5010 Standard GBPC-W télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,2 V @ 25 A 5 µA à 1000 V 50 a Monophasé 1 kv
GKR130/18 GeneSiC Semiconductor GKR130 / 18 35.8210
RFQ
 ECAD 2516 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif Châssis, montage DO-205AA, DO-8, Stud GKR130 Polateté Standard et inverse DO-205AA (DO-8) - Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 10 Norme de récupération> 500ns,> 200mA (IO) 1800 V 1,5 V @ 60 A 22 Ma @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
KBP202G GeneSiC Semiconductor KBP202G 0 2280
RFQ
 ECAD 1000 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, KBP KBP202 Standard Kbp télécharger Rohs conforme 1 (illimité) KBP202G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA à 100 V 2 A Monophasé 100 V
KBP203G GeneSiC Semiconductor KBP203G -
RFQ
 ECAD 7456 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Obsolète -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4-sip, KBP Standard Kbp - 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 200 V 2 A Monophasé 200 V
KBPC15005W GeneSiC Semiconductor KBPC15005W 2.1795
RFQ
 ECAD 4543 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, KBPC-W KBPC15005 Standard Kbpc-w télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA @ 50 V 15 A Monophasé 50 V
KBPC1501W GeneSiC Semiconductor KBPC1501W 2.1795
RFQ
 ECAD 4456 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, KBPC-W KBPC1501 Standard Kbpc-w télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA à 1000 V 15 A Monophasé 100 V
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
RFQ
 ECAD 5268 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, KBPC-W KBPC1504 Standard Kbpc-w télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA @ 400 V 15 A Monophasé 400 V
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
RFQ
 ECAD 5560 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Soutenir de châssis 4 Carrés, KBPC-W KBPC1510 Standard Kbpc-w télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 7,5 A 5 µA à 1000 V 15 A Monophasé 1 kv
KBPC2501W GeneSiC Semiconductor KBPC2501W 2.2995
RFQ
 ECAD 6055 0,00000000 Semi-conducteur Génie - En gros Actif -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Par le trou 4 Carrés, KBPC-W KBPC2501 Standard Kbpc-w télécharger Rohs conforme 1 (illimité) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 12,5 A 5 µA @ 100 V 25 A Monophasé 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume de RFQ moyen quotidien

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Unité de produit standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricants mondiaux

  • In-stock Warehouse

    15 000 m2

    Entrepôt en stock

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AD9208BBPZ-3000

Tampon exposé de 196-LFBGA

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