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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBPC2504W | 2.2995 | ![]() | 3961 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC2504 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 5 µA @ 400 V | 25 A | Monophasé | 400 V | |||||||
![]() | KBPC2510W | 2.2995 | ![]() | 6108 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC2510 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 12,5 A | 10 µA à 1000 V | 25 A | Monophasé | 1 kv | |||||||
![]() | KBPC35005W | 2.4720 | ![]() | 7866 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC35005 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA @ 50 V | 35 A | Monophasé | 50 V | |||||||
KBPC3510T | 2.4750 | ![]() | 6256 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, KBPC-T | KBPC3510 | Standard | Kbpc-t | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA à 1000 V | 35 A | Monophasé | 1 kv | ||||||||
![]() | KBPC5010W | 2.5875 | ![]() | 3036 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, KBPC-W | KBPC5010 | Standard | Kbpc-w | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA à 1000 V | 50 a | Monophasé | 1 kv | |||||||
![]() | MBR120150CT | - | ![]() | 9573 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 60A | 880 MV @ 60 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBR200150CTR | 90.1380 | ![]() | 1591 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR200150 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 150 V | 100A | 880 MV @ 100 A | 3 Ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR200200 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 3 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X050A080 | 43.6545 | ![]() | 5522 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 80 V | 50A | 840 MV @ 50 A | 1 ma @ 80 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 180 V | 50A | 920 MV @ 50 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X080A150 | 48.6255 | ![]() | 8545 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X080 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 150 V | 80A | 880 MV @ 80 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X100A100 | 50.2485 | ![]() | 5931 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X100 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 100 V | 100A | 840 MV @ 100 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X120A180 | 51.8535 | ![]() | 7514 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 180 V | 120a | 920 MV @ 120 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X160A100 | 59.6700 | ![]() | 9497 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X160 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 100 V | 160a | 840 MV @ 160 A | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR2X160A150 | 59.6700 | ![]() | 6381 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X160 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 150 V | 160a | 880 MV @ 160 A | 3 Ma @ 150 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR30030ctrl | - | ![]() | 5353 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 150a | 580 MV @ 150 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR400200CT | 98.8155 | ![]() | 5900 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR400200 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 200A | 920 MV @ 200 A | 3 Ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||
![]() | MBR60035ctrl | - | ![]() | 2077 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 35 V | 300A | 600 mV à 300 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR60045CTL | - | ![]() | 3019 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 300A | 600 mV à 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBR60045ctrl | - | ![]() | 5064 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 45 V | 300A | 600 mV à 300 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRH15040RL | - | ![]() | 7961 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky, polaté inversée | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 600 mV @ 150 A | 5 ma @ 40 V | 150a | - | |||||||||
![]() | Mbrh20030rl | - | ![]() | 8472 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | D-67 | Schottky, polaté inversée | D-67 | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 30 V | 580 MV @ 200 A | 3 Ma @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 200A | - | ||||||||
![]() | MBRT200150 | 98.8155 | ![]() | 4589 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 100A | 880 MV @ 100 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRT200200 | 98.8155 | ![]() | 2839 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 100A | 920 MV @ 100 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRT300200 | 107.3070 | ![]() | 7152 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 150a | 920 MV @ 150 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||
![]() | MBRT30045L | - | ![]() | 9877 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 150a | 600 mV @ 150 A | 3 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 35 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | Mbrt40035rl | - | ![]() | 3676 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 35 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | Mbrt40040rl | - | ![]() | 1556 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 40 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 3 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | MBRT500200 | - | ![]() | 5882 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volume de RFQ moyen quotidien
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