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Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Température de fonctionnels | Type de Montage | Package / ÉTUI | Numéro de Protuit de Base | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Fiche de Donnés | Statt Rohs | Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) | Statt de Portée | Noms Autres | ECCN | HTSUS | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f | Type de diode | Tension - Pic inverse (max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR500150CTR | - | ![]() | 9003 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 150 V | 250a | 880 MV @ 250 A | 3 Ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | SD51 | 19.1580 | ![]() | 2759 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | SD51 | Schottky | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | SD51GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 45 V | 660 MV @ 60 A | 5 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||
![]() | GD30MPS06H | 5.9100 | ![]() | 484 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | SIC SCHOTTKY MPS ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | GD30MPS06 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1242-GD30MPS06H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 49a | 735pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
![]() | MBR35100 | 14.3280 | ![]() | 8144 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Schottky | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR35100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 100 V | 840 MV @ 35 A | 1,5 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 35a | - | |||||||||
![]() | S6qr | 3.8625 | ![]() | 1284 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | S6Q | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1200 V | 1.1 V @ 6 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||
![]() | FR40J02 | 12.8985 | ![]() | 7869 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | Standard | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FR40J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 600 V | 1 V @ 40 A | 250 ns | 25 µA à 100 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 40a | - | ||||||||
![]() | GD60MPS17H | 46.0800 | ![]() | 2267 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | SIC SCHOTTKY MPS ™ | Tube | Actif | Par le trou | À 247-2 | GD60 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247-2 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | 1242-GD60MPS17H | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1700 V | 1,8 V @ 60 A | 40 µA à 1700 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 122a | 4577pf @ 1v, 1mhz | |||||||
![]() | MBR40020CTRL | - | ![]() | 7809 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 20 V | 200A | 580 MV @ 200 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
KBPC5001T | 2.5875 | ![]() | 4734 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Terminal QC | 4 Carrés, KBPC-T | KBPC5001 | Standard | Kbpc | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 25 A | 5 µA @ 100 V | 50 a | Monophasé | 100 V | |||||||||||
![]() | MBR2X060A180 | 46.9860 | ![]() | 2433 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | MBR2X060 | Schottky | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 180 V | 60A | 920 MV @ 60 A | 3 Ma @ 180 V | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
MBR3560R | 18.5700 | ![]() | 71 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | MBR3560 | Schottky, polaté inversée | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 60 V | 750 MV @ 35 A | 1,5 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 35a | - | ||||||||||
![]() | S40gr | 6.3770 | ![]() | 3493 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S40g | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S40Grgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 40 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 40a | - | ||||||||
![]() | KBPM302G | - | ![]() | 2888 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, kbpm | Standard | Kbpm | télécharger | 1 (illimité) | Atteindre non affecté | KBPM302GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 50 V | 3 A | Monophasé | 200 V | ||||||||||
![]() | S70MR | 9.8985 | ![]() | 5098 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | S70m | Polateté Standard et inverse | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S70mrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 70 A | 10 µA à 100 V | -65 ° C ~ 180 ° C | 70a | - | ||||||||
![]() | KBP208G | 0 2280 | ![]() | 3867 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | KBP208 | Standard | Kbp | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Kbp208ggs | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 50 V | 2 A | Monophasé | 800 V | |||||||||
![]() | MBRF300200 | - | ![]() | 1519 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | MBRF3002 | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 200 V | 150a | 920 MV @ 150 A | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBR30030CTR | 94.5030 | ![]() | 6989 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | Jumelle de tournée | MBR30030 | Schottky | Jumelle de tournée | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR30030ctrgn | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire Commune d'anode | 30 V | 150a | 650 mV @ 150 A | 8 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||
![]() | Mur2x060a04 | 47.1200 | ![]() | 38 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | SOT-227-4, minibloc | Mur2x060 | Standard | SOT-227 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1310 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 2 indépendant | 400 V | 60A | 1,3 V @ 60 A | 75 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||
![]() | MBRT60020L | - | ![]() | 3867 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 300A | 580 mV @ 300 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 1N5830R | 14.8695 | ![]() | 5324 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N5830R | Schottky, polaté inversée | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1N5830RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 25 V | 580 MV @ 25 A | 2 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||
![]() | KBP206G | 0 2280 | ![]() | 5933 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4-sip, KBP | KBP206 | Standard | Kbp | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Kbp206ggs | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 10 µA @ 600 V | 2 A | Monophasé | 600 V | |||||||||
![]() | MBRF600150 | - | ![]() | 5956 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | À 244ab | Schottky | À 244ab | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 150 V | 300A | 880 MV @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 1N1199AR | 4.2345 | ![]() | 2646 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N1199AR | Polateté Standard et inverse | Do-4 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | 1242-1028 | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 50 V | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||
![]() | MBR6040R | 21.3105 | ![]() | 6648 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AB, DO-5, Stud | MBR604 | Schottky, polaté inversée | Do-5 | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | MBR6040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 40 V | 650 mV @ 60 A | 5 ma @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||
![]() | FST120100 | 70.4280 | ![]() | 1978 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Soutenir de châssis | À 249ab | Schottky | À 249ab | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | FST120100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 100 V | 120A (DC) | 840 MV @ 120 A | 2 ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | S25K | 5.2485 | ![]() | 4962 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | Châssis, montage | DO-203AA, DO-4, Stud | Standard | - | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | S25KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Norme de rénovation> 500ns,> 200mA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 25 A | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||
![]() | MBRTA40020L | - | ![]() | 8335 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 20 V | 200A | 580 MV @ 200 A | 3 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBRT40045L | - | ![]() | 6197 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Obsolète | Soutenir de châssis | Tournée trois | Schottky | Tournée trois | - | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Récupération Rapide = <500ns,> 200mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 45 V | 200A | 600 mV @ 200 A | 5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | GBPC35005W | 2.8650 | ![]() | 3381 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC35005 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | Gbpc35005wgs | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 17,5 A | 5 µA @ 50 V | 25 A | Monophasé | 50 V | |||||||||
![]() | GBPC5004W | 4.0155 | ![]() | 6179 | 0,00000000 | Semi-conducteur Génie | - | En gros | Actif | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Par le trou | 4 Carrés, GBPC-W | GBPC5004 | Standard | GBPC-W | télécharger | Rohs conforme | 1 (illimité) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,2 V @ 25 A | 5 µA @ 400 V | 50 a | Monophasé | 400 V |
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