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Diodes (191)
| Image | Numéro de Produit | Prix (USD) | Quantité | ECAD | Quantité disponible | Poids (kg) | MFR | Série | Peigner | ÉTAT DU PRODUIT | Type de Montage | Package / ÉTUI | Technologie | Forfait de Périphérique Fournisseur | Statt de Portée | Noms Autres | Norme de package | Vitre | Configuration de diode | Tension - DC inverse (VR) (max) | COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode) | Tension - en Avant (vf) (max) @ si | Temps de réménage inversé (TRR) | Courant - FUITE INVERSEE @ VR | Température de FonctionNement - Jonction | Current - Rectifié Moyen (IO) | Capacité @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S12010B | - |  | 1370 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G3S12010B | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 39A (DC) | 1,7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
| G5S12030BM | - | | 9456 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-3 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247ab | Vendeur indéfini | 4436-G5S12030BM | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1 paire la commune de cathode | 1200 V | 55A (DC) | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||
 | G5S06506DT | - | | 9863 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S06506DT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 24a | 395pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G5S12008 | - | | 2245 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12008 | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 27.9A | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G3S06508H | - | | 7687 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 EXCHET | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220f | Vendeur indéfini | 4436-G3S06508H | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 14A | 550pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G5S06510AT | - | | 8322 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S06510AT | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 36A | 645pf @ 0v, 1mhz | |||
| G5S12015A | - | | 6081 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G5S12015A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 53a | 1370pf @ 0v, 1MHz | |||
 | G5S12002C | - | | 6074 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 252 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12002C | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8.8a | 170pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S12015A | - | | 9773 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 220-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 220AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S12015A | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 57A | 1700pf @ 0v, 1mhz | |||
| G3S065100P | - | | 2794 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Par le trou | À 247-2 | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 247AC | Vendeur indéfini | 4436-G3S065100P | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA à 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 40a | 13500pf @ 0v, 1MHz | |||
| G5S12010D | - | | 2941 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | En gros | Actif | Support de surface | À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab | Sic (Carbure de Silicium) Schottky | À 263 | Vendeur indéfini | 4436-G5S12010D | 1 | Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA à 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30.9a | 825pf @ 0v, 1MHz |
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