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Diodes (191)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Statt de Portée	Noms Autres	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f
G3S06505D	-	RFQ	8265	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G3S06505D	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	22.6a	424pf @ 0v, 1MHz
G4S06508DT	-	RFQ	1344	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G4S06508DT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24a	395pf @ 0v, 1MHz
G3S12005D	-	RFQ	7521	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G3S12005D	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	34a	475pf @ 0v, 1mhz
G4S12020P	-	RFQ	4931	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif					Vendeur indéfini	4436-G4S12020P	1
G3S06504H	-	RFQ	1905	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220f	Vendeur indéfini	4436-G3S06504H	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 4 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	181pf @ 0v, 1mhz
G5S12020BM	-	RFQ	5996	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G5S12020BM	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	33A (DC)	1,7 V @ 10 A	0 ns	30 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
G3S06502A	-	RFQ	1195	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06502A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	123pf @ 0v, 1mhz
G4S06506AT	-	RFQ	7515	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G4S06506AT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,8 V @ 6 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	11.6a	181pf @ 0v, 1mhz
G5S12010A	-	RFQ	4157	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G5S12010A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	37a	825pf @ 0v, 1MHz
G4S06508CT	-	RFQ	2406	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G4S06508CT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24a	395pf @ 0v, 1MHz
G4S06515AT	-	RFQ	9527	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G4S06515AT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 15 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	36A	645pf @ 0v, 1mhz
G3S06502H	-	RFQ	7415	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220f	Vendeur indéfini	4436-G3S06502H	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	123pf @ 0v, 1mhz
G4S06516BT	-	RFQ	5550	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G4S06516BT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	650 V	25,9A (DC)	1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C
G5S06510DT	-	RFQ	2481	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G5S06510DT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,5 V @ 10 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	38a	645pf @ 0v, 1mhz
G4S06530BT	-	RFQ	8456	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G4S06530BT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	650 V	39A (DC)	1,7 V @ 15 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C
G3S065100P	-	RFQ	2794	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247AC	Vendeur indéfini	4436-G3S065100P	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 40 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	40a	13500pf @ 0v, 1MHz
G4S12020	-	RFQ	9894	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247AC	Vendeur indéfini	4436-G4S12020	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,6 V @ 20 A	0 ns	30 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	64,5a	2600pf @ 0v, 1mhz
G4S06508AT	-	RFQ	3775	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G4S06508AT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24.5a	395pf @ 0v, 1MHz
G5S06506DT	-	RFQ	9863	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G5S06506DT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,5 V @ 6 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24a	395pf @ 0v, 1MHz
G5S12005C	-	RFQ	1555	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G5S12005C	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	20,95a	424pf @ 0v, 1MHz
G3S06504D	-	RFQ	5583	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G3S06504D	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 4 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	11.5a	181pf @ 0v, 1mhz
G3S12015P	-	RFQ	5432	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247AC	Vendeur indéfini	4436-G3S12015P	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 15 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	42a	1379pf @ 0v, 1mhz
G4S06510AT	-	RFQ	8951	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G4S06510AT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30.5a	550pf @ 0v, 1MHz
G3S06510A	-	RFQ	4908	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06510A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	35a	690pf @ 0v, 1MHz
G52YT	-	RFQ	7769	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	DO-214AC, SMA	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	Sma	Vendeur indéfini	4436-G52YT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5.8a	116.75pf @ 0v, 1MHz
G5S12015L	-	RFQ	7402	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G5S12015L	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 15 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	55A	1370pf @ 0v, 1MHz
G3S12020P	-	RFQ	6625	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247AC	Vendeur indéfini	4436-G3S12020P	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	64,5a	2600pf @ 0v, 1mhz
G3S06503A	-	RFQ	1550	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06503A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 3 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	11.5a	181pf @ 0v, 1mhz
G5S12002C	-	RFQ	6074	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G5S12002C	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8.8a	170pf @ 0v, 1mhz
G4S12040BM	-	RFQ	1055	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G4S12040BM	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	64,5a (DC)	1,6 V @ 20 A	0 ns	30 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (191)

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30 000 000

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15 000 m2

15 000 m²