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Diodes (191)

Numéro de Produit	Prix (USD)	Quantité	Quantité disponible	MFR	Série	Peigner	ÉTAT DU PRODUIT	Type de Montage	Package / ÉTUI	Technologie	Forfait de Périphérique Fournisseur	Statt de Portée	Noms Autres	Norme de package	Vitre	Configuration de diode	Tension - DC inverse (VR) (max)	COURANT - RECTIFIÉ MOYEN (IO) (Per Diode)	Tension - en Avant (vf) (max) @ si	Temps de réménage inversé (TRR)	Courant - FUITE INVERSEE @ VR	Température de FonctionNement - Jonction	Current - Rectifié Moyen (IO)	Capacité @ vr, f
G5S12020H	-	RFQ	6564	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220f	Vendeur indéfini	4436-G5S12020H	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24.6a	1320pf @ 0v, 1MHz
G3S06008J	-	RFQ	4839	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif					Vendeur indéfini	4436-G3S06008J	1
G3S06505D	-	RFQ	8265	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G3S06505D	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	22.6a	424pf @ 0v, 1MHz
G3S06550P	-	RFQ	8226	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06550P	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 50 A	0 ns	100 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	105a	4400pf @ 0v, 1MHz
G3S17010A	-	RFQ	5569	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S17010A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1700 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	100 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24a	1500pf @ 0v, 1mhz
G3S12002H	-	RFQ	8714	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220f	Vendeur indéfini	4436-G3S12002H	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	7.3a	136pf @ 0v, 1mhz
G3S06550	-	RFQ	4844	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06550	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 50 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	130a	4400pf @ 0v, 1MHz
G4S06508DT	-	RFQ	1344	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G4S06508DT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	24a	395pf @ 0v, 1MHz
G3S06502C	-	RFQ	7907	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G3S06502C	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	123pf @ 0v, 1mhz
G3S17020B	-	RFQ	7595	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G3S17020B	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1700 V	24a (DC)	1,7 V @ 10 A	0 ns	100 µA à 1700 V	-55 ° C ~ 175 ° C
G3S06505C	-	RFQ	6424	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G3S06505C	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	22.5A	424pf @ 0v, 1MHz
G3S06504H	-	RFQ	1905	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220f	Vendeur indéfini	4436-G3S06504H	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 4 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	181pf @ 0v, 1mhz
G3S06505h	-	RFQ	1162	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2 EXCHET	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220f	Vendeur indéfini	4436-G3S06505H	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15.4a	424pf @ 0v, 1MHz
G3S06502A	-	RFQ	1195	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06502A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 2 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	9A	123pf @ 0v, 1mhz
G3S12003A	-	RFQ	3270	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S12003A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 3 A	0 ns	100 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	12A	260pf @ 0v, 1MHz
G3S12005C	-	RFQ	6880	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G3S12005C	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		1200 V		1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	34a	475pf @ 0v, 1mhz
G5S12040BM	-	RFQ	7526	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G5S12040BM	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	62A (DC)	1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
G3S06530A	-	RFQ	5431	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06530A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 30 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	110a	2150pf @ 0v, 1MHz
G5S06504AT	-	RFQ	6237	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G5S06504AT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,6 V @ 4 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	11.6a	181pf @ 0v, 1mhz
G3S06506D	-	RFQ	8845	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G3S06506D	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 6 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	22.5A	424pf @ 0v, 1MHz
G5S12010BM	-	RFQ	4658	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 247-3	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 247ab	Vendeur indéfini	4436-G5S12010BM	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)	1 paire la commune de cathode	1200 V	19.35A (DC)	1,7 V @ 5 A	0 ns	50 µA à 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
G3S06508J	-	RFQ	4913	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	Onglet isolé à 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220iso	Vendeur indéfini	4436-G3S06508J	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	23A	550pf @ 0v, 1MHz
G4S12020P	-	RFQ	4931	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif					Vendeur indéfini	4436-G4S12020P	1
GAS06520A	-	RFQ	3596	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-GAS06520A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 20 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	66a	1390pf @ 0v, 1MHz
G4S06510DT	-	RFQ	7817	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G4S06510DT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 10 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	32a	550pf @ 0v, 1MHz
G3S06508A	-	RFQ	8478	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G3S06508A	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	25.5a	550pf @ 0v, 1MHz
G3S06508D	-	RFQ	3784	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G3S06508D	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 8 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	25.5a	550pf @ 0v, 1MHz
G4S06515DT	-	RFQ	1010	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À 263-3, d²pak (2 leads + onglet), à 263ab	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 263	Vendeur indéfini	4436-G4S06515DT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,7 V @ 15 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	38a	645pf @ 0v, 1mhz
G4S06506CT	-	RFQ	2464	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Support de surface	À-252-3, DPAK (2 leads + onglet), SC-63	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 252	Vendeur indéfini	4436-G4S06506CT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,8 V @ 6 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	13.8a	181pf @ 0v, 1mhz
G4S06506AT	-	RFQ	7515	Global Power Technology Co. Ltd	-	En gros	Actif	Par le trou	À 220-2	Sic (Carbure de Silicium) Schottky	À 220AC	Vendeur indéfini	4436-G4S06506AT	1	Pas de Temps de Récupération> 500mA (IO)		650 V		1,8 V @ 6 A	0 ns	50 µA à 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	11.6a	181pf @ 0v, 1mhz

2000+
Volume de RFQ moyen quotidien
30 000 000
Unité de produit standard
2800+
Fabricants mondiaux
15 000 m²
Entrepôt en stock

Diodes (191)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 m2

15 000 m²