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Cristaux, oscilleurs, résonurs (18804)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) Hauteur RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX) FRÉQUENCE - SORTIE 1 FRÉQUENCE - SORTIE 2 FRÉQUENCE - SORTIE 3 FRÉQUENCE - SORTIE 4
DSC6001JI3B-259K200 Microchip Technology DSC6001JI3B-259K200 -
RFQ
 ECAD 2648 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc60xxb Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-vlga Xo (standard) 259.2 kHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC6001JI3B-259K200 EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 1.3MA (TYP) Mems ± 20 ppm - - -
DSC6102JI1B-080.0000T Microchip Technology DSC6102JI1B-080.0000T -
RFQ
 ECAD 7499 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-vlga Xo (standard) 80 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC6102JI1B-080.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1 000 Acteur / décor 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - -
DSC1121AE5-020.0000 Microchip Technology DSC1121AE5-020.0000 -
RFQ
 ECAD 6058 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc1121 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface Pad Exposé 6-VDFN Xo (standard) Dsc1121 20 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC1121AE5-020.0000 EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 35mA Mems ± 10 ppm - - 22m
DSC6111HI3B-074.2500 Microchip Technology DSC6111HI3B-074.2500 -
RFQ
 ECAD 8042 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Sac Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 mm x 1,20 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-VFLGA Xo (standard) DSC6111 74,25 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC6111HI3B-074.2500 EAR99 8542.39.0001 100 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 20 ppm - - 1,5 µA (TYP)
DSC6001ME1B-052.4280T Microchip Technology DSC6001ME1B-052.4280T -
RFQ
 ECAD 8152 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc60xxb Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 mm x 1,60 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-VFLGA Xo (standard) DSC6001 52.428 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC6001ME1B-052.4280TTR EAR99 8542.39.0001 1 000 Acteur / décor 1.3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - -
DSC1103CL5-212.5000 Microchip Technology DSC1103CL5-212.5000 -
RFQ
 ECAD 3463 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1103 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSC1103 212,5 MHz LVDS 2,25 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC1103CL5-212.5000 EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 32MA Mems ± 10 ppm - - 95µA
DSC6111JI2B-100.0000T Microchip Technology DSC6111JI2B-100.0000T -
RFQ
 ECAD 6372 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-vlga Xo (standard) DSC6111 100 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC6111JI2B-100.0000TTR EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1,5 µA (TYP)
DSC613PE2A-01KCT Microchip Technology DSC613PE2A-01KCT -
RFQ
 ECAD 9551 0,00000000 Technologie des micropuces DSC613 Ruban Adhésif (tr) Actif -20 ° C ~ 70 ° C 0,063 "L x 0,047" W (1,60 mm x 1,20 mm) 6-VFLGA Xo (standard) DSC613 LVCMOS 1,71 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme Atteindre non affecté 150-DSC613PE2A-01KTR EAR99 8542.39.0001 1 000 Acteur / décor 6,5 Ma 0,035 "(0,89 mm) Mems ± 25 ppm 3 mA - - - -
MX553ABA106M250 Microchip Technology MX553ABA106M250 -
RFQ
 ECAD 2874 0,00000000 Technologie des micropuces MX55 En gros Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,055 "(1,40 mm) Support de surface 6-llga Xo (standard) 106,25 MHz LVPECL 2,375v ~ 3,63 V télécharger EAR99 8542.39.0001 1 Acteur / décor 120mA Cristal ± 50 ppm - - -
DSA1001DI2-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 9008 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 25 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DI2-025.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 8m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSA1001DI2-026.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DI2-026.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4512 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 26 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DI2-026.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 8m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSA1001DI2-026.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI2-026.0000VAO -
RFQ
 ECAD 7130 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 26 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DI2-026.0000VAO EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSA1001DI3-020.0000VAO Microchip Technology DSA1001DI3-020.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2223 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 20 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DI3-020.0000VAO EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8m Mems ± 20 ppm - - 15 µA
DSA1001DL1-060.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL1-060.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 1704 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 60 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DL1-060.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 10,5 Ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSA1001DL2-006.0053VAO Microchip Technology DSA1001DL2-006.0053VAO -
RFQ
 ECAD 7379 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 6 0053 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DL2-006.0053VAO EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSA1001DL3-008.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-008.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2028 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 8 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DL3-008.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 8m Mems ± 20 ppm - - 15 µA
DSA1001DL3-100.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-100.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 4573 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) DSA1001 100 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1001DL3-100.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 16,6mA Mems ± 20 ppm - - 15 µA
DSA1101BI3-034.3680VAO Microchip Technology DSA1101BI3-034.3680VAO -
RFQ
 ECAD 2135 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSA1101 34 368 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1101BI3-034.3680VAO EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 20 ppm - - 95µA
DSA1101CA1-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CA1-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 9639 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1101 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSA1101 25 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,63 V - Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1101CA1-025.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSA1101CI1-050.0000TVAO Microchip Technology DSA1101CI1-050.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 1226 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1101 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSA1101 50 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,63 V - 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1101CI1-050.0000TVAO EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSA1101CI1-050.0000VAO Microchip Technology Dsa1101ci1-050.0000vao -
RFQ
 ECAD 9945 0,00000000 Technologie des micropuces DSA1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSA1101 50 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,63 V - 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSA1101CI1-050.0000VAO EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC6102MI2B-125K000 Microchip Technology DSC6102MI2B-125K000 -
RFQ
 ECAD 7948 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Sac Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 mm x 1,60 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-VFLGA Xo (standard) Dsc6102 125 kHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSC6102MI2B-125K000 EAR99 8542.39.0001 100 Acteur / décor 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - -
DSC6111HA2B-024.0000T Microchip Technology Dsc6111ha2b-024.0000t -
RFQ
 ECAD 8527 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0,063 "L x 0,047" W (1,60 mm x 1,20 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-VFLGA Xo (standard) DSC6111 24 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSC6111HA2B-024.0000T EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - -
DSC6111JL2B-008.0000 Microchip Technology Dsc6111jl2b-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7931 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-vlga Xo (standard) DSC6111 8 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSC6111JL2B-008.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - -
DSC6111MI2B-006.1679T Microchip Technology DSC6111MI2B-006.1679T -
RFQ
 ECAD 1196 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc61xxb Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,079 "L x 0,063" W (2,00 mm x 1,60 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-VFLGA Xo (standard) DSC6111 6.1679 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSC6111MI2B-006.1679T EAR99 8542.39.0001 1 000 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - -
DSC6301CI2BA-024.0000T Microchip Technology DSC6301CI2BA-024.0000T -
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc63xx Ruban Adhésif (tr) Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) 24 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) 150-DSC6301CI2BA-024.0000T EAR99 8542.39.0001 1 000 Acteur / décor 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - ± 0,50%, propagation central -
DSC6311CI2BA-024.0000 Microchip Technology DSC6311CI2BA-024.0000 -
RFQ
 ECAD 4917 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc63xx Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) 24 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) 150-DSC6311CI2BA-024.0000 EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - ± 0,50%, propagation central -
DSC6311JL2BB-027.0000 Microchip Technology Dsc6311jl2bb-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7216 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc63xxb Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-vlga Xo (standard) DSC6311 27 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSC6311JL2BB-027.0000 EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - ± 0,50%, propagation central -
DSC6331CI2BA-008.0040 Microchip Technology DSC6331CI2BA-008.0040 -
RFQ
 ECAD 3360 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc63xx Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-VDFN Xo (standard) 8 004 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) 150-DSC6331CI2BA-008.0040 EAR99 8542.39.0001 110 - 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - ± 0,50%, propagation central -
DSC6331JA2IB-025.0000 Microchip Technology Dsc6331ja2ib-025.0000 -
RFQ
 ECAD 6295 0,00000000 Technologie des micropuces Dsc63xxb Tube Actif -40 ° C ~ 125 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,89 mm) Support de surface 4-vlga Xo (standard) DSC6331 25 MHz CMOS 1,71 V ~ 3,63 V télécharger 1 (illimité) Atteindre non affecté 150-DSC6331JA2IB-025.0000 EAR99 8542.39.0001 140 - 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - -1,00%, propagation en bas -
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    2000+

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    30 000 000

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