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Cristaux, oscilleurs, résonurs (18804)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée Noms Autres ECCN HTSUS Norme de package Fonction Type programmable Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX) PLAGE DE FRÉQUENCES CARIFIBLE Stabilité en Fréquence (total)
DSC8102AI5-PROGRAMMABLE Microchip Technology DSC8102AI5 programmable -
RFQ
 ECAD 6841 0,00000000 Technologie des micropuces DSC8102 Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) LVPECL 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté 576-4694 programmable EAR99 8542.39.0001 1 Participant Programmé Par sic (Entrez Votre Fréquence dans les Notes de Commande Web) 58mA Mems - - 95 µA 10 MHz ~ 460 MHz ± 10 ppm
DSC1003CL2-020.0000 Microchip Technology DSC1003CL2-020.0000 -
RFQ
 ECAD 3209 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1003 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1003 20 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6MA Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1003DE2-024.0000 Microchip Technology DSC1003DE2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 4367 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1003 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1003 24 MHz CMOS 1,7 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6MA Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004AE2-050.0000 Microchip Technology DSC1004AE2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2842 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1004 50 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 8m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004BI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4371 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1004 10 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 6,5 Ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004CI2-010.0000 Microchip Technology DSC1004CI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4116 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1004 10 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,5 Ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004CL2-025.0000 Microchip Technology DSC1004CL2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 8048 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1004 25 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,5 Ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1004DI2-072.0000 Microchip Technology DSC1004DI2-072.0000 1.0400
RFQ
 ECAD 6382 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1004 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1004 72 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 10,5 Ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1030BC1-010.0000 Microchip Technology DSC1030BC1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 4240 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 10 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030BC1-024.5760 Microchip Technology Dsc1030bc1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 9536 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Obsolète 0 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 24 576 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030BE1-024.5760 Microchip Technology DSC1030BE1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 6843 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 24 576 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 10m Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030BI1-010.0000 Microchip Technology DSC1030BI1-010.0000 -
RFQ
 ECAD 8373 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 10 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1030DI2-019.2000 Microchip Technology DSC1030DI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 8048 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1030, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1030 19,2 MHz CMOS 3V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 10m Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033AI1-050.0000 Microchip Technology Dsc1033ai1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 7134 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) Dsc1033 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033BC1-024.0000 Microchip Technology Dsc1033bc1-024.0000 -
RFQ
 ECAD 5937 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 24 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 10m Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CE1-008.0000 Microchip Technology DSC1033CE1-008.0000 -
RFQ
 ECAD 6265 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 8 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CI1-029.4912 Microchip Technology DSC1033CI1-029.4912 -
RFQ
 ECAD 9594 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 29.4912 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CI2-008.0000 Microchip Technology DSC1033CI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 9981 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 8 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 10m Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033CI2-048.0000 Microchip Technology DSC1033CI2-048.0000 -
RFQ
 ECAD 7289 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 48 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 10m Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033DE1-066.0000 Microchip Technology Dsc1033de1-066.0000 -
RFQ
 ECAD 9634 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 66 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-020.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-020.0000 -
RFQ
 ECAD 9799 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 20 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-033.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-033.0000 -
RFQ
 ECAD 3330 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 33 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-035.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-035.0000 -
RFQ
 ECAD 1000 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 35 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-050.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2826 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1101AI2-026.9910 Microchip Technology DSC1101AI2-026.9910 -
RFQ
 ECAD 6305 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 mm, pas de pavé exposé en plomb Xo (standard) DSC1101 26 991 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1101BI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 6382 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 50 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101CI5-022.5791 Microchip Technology DSC1101CI5-022.5791 -
RFQ
 ECAD 8709 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 22.5791 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 10 ppm - - 95µA
DSC1101CM2-016.3840 Microchip Technology DSC1101CM2-016.3840 -
RFQ
 ECAD 1317 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -55 ° C ~ 125 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 16 384 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101DL1-033.3330 Microchip Technology DSC1101DL1-033.3330 -
RFQ
 ECAD 9189 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSC1101 33 333 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC1101DL2-050.6880 Microchip Technology DSC1101DL2-050.6880 -
RFQ
 ECAD 6747 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6-VDFN Xo (standard) DSC1101 50 688 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
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