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Cristaux, oscilleurs, résonurs (18804)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1001CI1-008.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-008.0000 0,8800
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-033.3333 Microchip Technology DSC1001CI1-033.3333 0,9960
RFQ
 ECAD 3424 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-002.0480 Microchip Technology DSC1001CI2-002.0480 -
RFQ
 ECAD 7675 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 2 048 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-010.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 5040 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 10 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-019.2000 Microchip Technology DSC1001CI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 6020 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 19,2 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-022.5792 Microchip Technology DSC1001CI2-022.5792 -
RFQ
 ECAD 5104 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 22.5792 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-024.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-024.0000 1.2300
RFQ
 ECAD 1383 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 24 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-025.0010 Microchip Technology DSC1001CI2-025.0010 -
RFQ
 ECAD 4507 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 25 001 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-028.6363 Microchip Technology DSC1001CI2-028.6363 -
RFQ
 ECAD 1650 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 28.6363 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-032.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1660 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 32 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-033.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-033.0000 -
RFQ
 ECAD 3835 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-034.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-034.0000 -
RFQ
 ECAD 2726 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 34 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-035.4689 Microchip Technology DSC1001CI2-035.4689 -
RFQ
 ECAD 1308 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 35.4689 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-052.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-052.0000 -
RFQ
 ECAD 5205 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 52 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-025.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-025.0000 2.5100
RFQ
 ECAD 132 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 25 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-026.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-026.0000 2.5100
RFQ
 ECAD 5357 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-032.7680 Microchip Technology DSC1001CI5-032.7680 -
RFQ
 ECAD 4886 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 32 768 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-040.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-040.0000 -
RFQ
 ECAD 9715 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 40 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-012.2880 Microchip Technology DSC1001CL1-012.2880 -
RFQ
 ECAD 1845 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-012.5000 Microchip Technology DSC1001CL1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9882 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12,5 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-066.0000 Microchip Technology DSC1001CL1-066.0000 -
RFQ
 ECAD 9646 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-026.6600 Microchip Technology DSC1001CL2-026.6600 -
RFQ
 ECAD 8722 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26,66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-027.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DC1-066.6600 Microchip Technology DSC1001DC1-066.6600 -
RFQ
 ECAD 8643 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 66,66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-012.5000 Microchip Technology DSC1001DE1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9725 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12,5 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-018.1000 Microchip Technology DSC1001DE1-018.1000 -
RFQ
 ECAD 8967 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 18,1 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-019.2000 Microchip Technology DSC1001DE1-019.2000 -
RFQ
 ECAD 6836 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 19,2 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-024.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-024.0000 0,8500
RFQ
 ECAD 2449 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 24 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-030.3779 Microchip Technology DSC1001DE1-030.3779 -
RFQ
 ECAD 3166 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 30.3779 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-001.8432 Microchip Technology DSC1001DI1-001.8432 1.2600
RFQ
 ECAD 2373 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 1 8432 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
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