SIC
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Oscillaire (15893)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1001AC1-008.0000 Microchip Technology DSC1001AC1-008.0000 0,9000
RFQ
 ECAD 6010 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-027.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-027.0000 2.5900
RFQ
 ECAD 2249 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-032.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-032.0000 1.9600
RFQ
 ECAD 2842 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 32 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-080.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-080.0000 2.2700
RFQ
 ECAD 5523 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 80 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 8,7m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-125.0060 Microchip Technology DSC1001AI5-125.0060 2.2700
RFQ
 ECAD 6728 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 125 006 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 8,7m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001AL5-008.0000 Microchip Technology DSC1001AL5-008.0000 2.1300
RFQ
 ECAD 8204 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001BI1-100.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-100.0000 1.0600
RFQ
 ECAD 7060 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 100 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-018.4320 Microchip Technology DSC1001BI2-018.4320 0,9600
RFQ
 ECAD 5317 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 18 432 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-026.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-026.0000 0,9600
RFQ
 ECAD 5577 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-030.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-030.0000 0,9600
RFQ
 ECAD 7624 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 30 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-033.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-033.0000 0,9600
RFQ
 ECAD 3268 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI5-008.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-008.0000 1.9400
RFQ
 ECAD 5590 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001BL1-016.0000 Microchip Technology DSC1001BL1-016.0000 1 0000
RFQ
 ECAD 8985 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 16 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BL5-050.0000 Microchip Technology DSC1001BL5-050.0000 2.0900
RFQ
 ECAD 7748 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 50 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CE2-003.5800 Microchip Technology DSC1001CE2-003.5800 0,9100
RFQ
 ECAD 3193 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 3,58 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-009.6000 Microchip Technology DSC1001CI5-009.6000 2.5100
RFQ
 ECAD 1800 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 9,6 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-020.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-020.0000T 1.3900
RFQ
 ECAD 2048 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Ruban Adhésif (tr) Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 20 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 1 000 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL5-033.0000 Microchip Technology DSC1001CL5-033.0000 2.0400
RFQ
 ECAD 4908 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-027.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-027.0000 0,8700
RFQ
 ECAD 1649 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-038.4000 Microchip Technology DSC1001DI1-038.4000 1.1400
RFQ
 ECAD 3906 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 38,4 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-029.5000 Microchip Technology DSC1001DI2-029.5000 1.2200
RFQ
 ECAD 625 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 29,5 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-030.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-030.0000 0,9100
RFQ
 ECAD 4656 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 30 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-004.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-004.0000 1.8600
RFQ
 ECAD 1539 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 4 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-008.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-008.0000 2.4400
RFQ
 ECAD 3250 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-013.3333 Microchip Technology DSC1001DI5-013.3333 1.6800
RFQ
 ECAD 5839 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 13.3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-047.3385 Microchip Technology DSC1001DI5-047.3385 1.8600
RFQ
 ECAD 2524 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 47.3385 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-048.0000 1.8600
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 48 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DI5-080.0000 Microchip Technology DSC1001DI5-080.0000 2.7800
RFQ
 ECAD 558 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 80 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 8,7m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DL1-033.3333 Microchip Technology DSC1001DL1-033.3333 0,9300
RFQ
 ECAD 3390 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DL2-037.1250 Microchip Technology DSC1001DL2-037.1250 1.2900
RFQ
 ECAD 484 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 37.125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Acteur / décor 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
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