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Oscillaire (15893)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1001CE1-014.3182 Microchip Technology DSC1001CE1-014.3182 -
RFQ
 ECAD 2916 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 14.3182 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-015.7500 Microchip Technology DSC1001CE1-015.7500 -
RFQ
 ECAD 4997 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 15,75 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-019.6608 Microchip Technology DSC1001CE1-019.6608 -
RFQ
 ECAD 6334 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 19.6608 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-069.2480 Microchip Technology DSC1001CE1-069.2480 -
RFQ
 ECAD 2710 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 69.248 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE2-008.0000 Microchip Technology DSC1001CE2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7303 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-047.3333 Microchip Technology DSC1001CI1-047.3333 -
RFQ
 ECAD 5591 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 47.3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-100.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 7595 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 100 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-125.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 2589 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-015.3600 Microchip Technology DSC1001CI2-015.3600 -
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 ECAD 7413 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 15,36 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-016.9344 Microchip Technology DSC1001CI2-016.9344 -
RFQ
 ECAD 5512 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 16.9344 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-037.1250 Microchip Technology DSC1001CI2-037.1250 0,9480
RFQ
 ECAD 3393 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 37.125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-040.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-040.0000 -
RFQ
 ECAD 1062 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 40 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-043.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-043.0000 -
RFQ
 ECAD 8774 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 43 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-022.5790 Microchip Technology DSC1001CL1-022.5790 -
RFQ
 ECAD 9461 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 22 579 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-024.5760 Microchip Technology DSC1001CL1-024.5760 -
RFQ
 ECAD 4721 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 24 576 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DC2-004.9152 Microchip Technology DSC1001DC2-004.9152 -
RFQ
 ECAD 6197 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 4 9152 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DC2-027.0000 Microchip Technology DSC1001DC2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 7945 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DC5-038.8800 Microchip Technology DSC1001DC5-038.8800 -
RFQ
 ECAD 7851 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 38,88 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DC5-049.1520 Microchip Technology DSC1001DC5-049.1520 -
RFQ
 ECAD 7947 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 49.152 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-012.2880 Microchip Technology DSC1001DE1-012.2880 -
RFQ
 ECAD 9506 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-036.6670 Microchip Technology DSC1001DE1-036.6670 -
RFQ
 ECAD 1935 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 36 667 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-048.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-048.0000 -
RFQ
 ECAD 6490 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 48 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-110.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-110.0000 -
RFQ
 ECAD 6238 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 110 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE2-026.0000 Microchip Technology DSC1001DE2-026.0000 -
RFQ
 ECAD 5224 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-006.1400 Microchip Technology DSC1001DI1-006.1400 -
RFQ
 ECAD 5463 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 6,14 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-012.2880 Microchip Technology DSC1001DI1-012.2880 -
RFQ
 ECAD 8383 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-133.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-133.0000 -
RFQ
 ECAD 2851 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 133 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-001.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-001.0000 0,9360
RFQ
 ECAD 2742 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 1 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI3-012.0000 Microchip Technology DSC1001DI3-012.0000 -
RFQ
 ECAD 8752 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems - - - 15 µA
DSC1001DI5-002.0480 Microchip Technology DSC1001DI5-002.0480 -
RFQ
 ECAD 8119 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 2 048 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
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