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Oscillaire (15893)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1033BC1-012.0000 Microchip Technology Dsc1033bc1-012.0000 -
RFQ
 ECAD 3988 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 12 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033BE2-012.0000 Microchip Technology DSC1033BE2-012.0000 -
RFQ
 ECAD 5672 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 12 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033BI1-033.3330 Microchip Technology DSC1033BI1-033.3330 -
RFQ
 ECAD 9023 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 33 333 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033BI1-060.0000 Microchip Technology DSC1033BI1-060.0000 -
RFQ
 ECAD 8024 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 60 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033BI2-024.0000 Microchip Technology DSC1033BI2-024.0000 -
RFQ
 ECAD 1359 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 24 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033CE2-026.0000 Microchip Technology DSC1033CE2-026.0000 -
RFQ
 ECAD 5526 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 26 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033CI1-011.2896 Microchip Technology DSC1033CI1-011.2896 -
RFQ
 ECAD 6906 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 11.2896 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CI1-048.0000 Microchip Technology DSC1033CI1-048.0000 -
RFQ
 ECAD 7778 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 48 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CI1-050.0000 Microchip Technology DSC1033CI1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 5905 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033CI1-064.0000 Microchip Technology Dsc1033ci1-064.0000 -
RFQ
 ECAD 1786 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 64 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DC1-050.0000 Microchip Technology Dsc1033dc1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 1413 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-001.8432 Microchip Technology DSC1033DI1-001.8432 -
RFQ
 ECAD 9373 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 1 8432 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-012.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-012.0000 -
RFQ
 ECAD 2094 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 12 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-025.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 4299 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 25 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-027.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-027.0000 -
RFQ
 ECAD 3640 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 27 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-050.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2578 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 50 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI1-100.0000 Microchip Technology DSC1033DI1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 9209 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 100 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 5mA (TYP) Mems ± 50 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-008.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 9877 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Obsolète -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) 8 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-027.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 27 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 3MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1033DI2-060.0000 Microchip Technology DSC1033DI2-060.0000 -
RFQ
 ECAD 2680 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1033, PURESILICON ™ Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) Dsc1033 60 MHz CMOS 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 4MA (TYP) Mems ± 25 ppm - - 1 µA
DSC1101AI2-048.0000 Microchip Technology Dsc1101ai2-048.0000 -
RFQ
 ECAD 4931 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 48 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101AI2-100.0000 Microchip Technology Dsc1101ai2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 6729 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 100 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101BE1-012.5000 Microchip Technology DSC1101BE1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9365 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 12,5 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC1101BE2-025.0000 Microchip Technology DSC1101BE2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 6920 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 25 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101BE2-050.0000 Microchip Technology DSC1101BE2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 3840 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 50 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101BI1-012.5000 Microchip Technology DSC1101BI1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9075 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 12,5 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC1101BI5-024.5760 Microchip Technology DSC1101BI5-024.5760 2.1100
RFQ
 ECAD 7667 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 24 576 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 10 ppm - - 95µA
DSC1101CI1-016.0000 Microchip Technology DSC1101CI1-016.0000 -
RFQ
 ECAD 3384 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 16 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 50 ppm - - 95µA
DSC1101CI2-025.0000 Microchip Technology DSC1101CI2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 1548 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 25 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
DSC1101CI2-066.0000 Microchip Technology DSC1101CI2-066.0000 -
RFQ
 ECAD 7478 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1101 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C - 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 6 MD, Pas de plomb Xo (standard) DSC1101 66 MHz CMOS 2,25 V ~ 3,6 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 35mA Mems ± 25 ppm - - 95µA
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