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Oscillaire (15893)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1001AE5-040.6080 Microchip Technology DSC1001AE5-040.6080 -
RFQ
 ECAD 6917 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 40 608 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001AI2-019.6608 Microchip Technology Dsc1001ai2-019.6608 -
RFQ
 ECAD 8626 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 19.6608 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001AI5-016.0000 Microchip Technology DSC1001AI5-016.0000 -
RFQ
 ECAD 8391 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,276 "L x 0,197" W (7,00 mm x 5,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas de tampon exposé en plomb Xo (standard) DSC1001 16 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 50 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001BC1-125.0000 Microchip Technology DSC1001BC1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 5453 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BE1-048.0000 Microchip Technology DSC1001BE1-048.0000 -
RFQ
 ECAD 1349 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 48 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BE1-050.0000 Microchip Technology DSC1001BE1-050.0000 -
RFQ
 ECAD 5005 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 50 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BE1-125.0000 Microchip Technology DSC1001BE1-125.0000 1.3700
RFQ
 ECAD 565 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BI1-032.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-032.0000 -
RFQ
 ECAD 7386 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 32 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BI1-048.0000 Microchip Technology DSC1001BI1-048.0000 1.0200
RFQ
 ECAD 3088 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 48 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-009.6000 Microchip Technology DSC1001BI2-009.6000 -
RFQ
 ECAD 8482 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 9,6 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-012.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-012.0000 0,9600
RFQ
 ECAD 4468 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-026.9730 Microchip Technology DSC1001BI2-026.9730 -
RFQ
 ECAD 2952 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26 973 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-036.8182 Microchip Technology DSC1001BI2-036.8182 -
RFQ
 ECAD 7689 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 36.8182 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI2-099.3000 Microchip Technology DSC1001BI2-099.3000 -
RFQ
 ECAD 7235 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 99,3 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001BI5-125.0000 Microchip Technology DSC1001BI5-125.0000 2.2300
RFQ
 ECAD 5189 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001BL1-025.0000 Microchip Technology DSC1001BL1-025.0000 -
RFQ
 ECAD 3855 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 25 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001BL1-027.0000 Microchip Technology DSC1001BL1-027.0000 -
RFQ
 ECAD 6560 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,197 "L x 0,126" W (5,00 mm x 3,20 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 72 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CC1-047.3333 Microchip Technology DSC1001CC1-047.3333 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 47.3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-014.3182 Microchip Technology DSC1001CE1-014.3182 -
RFQ
 ECAD 2916 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 14.3182 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-015.7500 Microchip Technology DSC1001CE1-015.7500 -
RFQ
 ECAD 4997 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 15,75 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-019.6608 Microchip Technology DSC1001CE1-019.6608 -
RFQ
 ECAD 6334 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 19.6608 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE1-069.2480 Microchip Technology DSC1001CE1-069.2480 -
RFQ
 ECAD 2710 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 69.248 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CE2-008.0000 Microchip Technology DSC1001CE2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7303 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-047.3333 Microchip Technology DSC1001CI1-047.3333 -
RFQ
 ECAD 5591 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 47.3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-100.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-100.0000 -
RFQ
 ECAD 7595 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 100 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI1-125.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 2589 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-015.3600 Microchip Technology DSC1001CI2-015.3600 -
RFQ
 ECAD 7413 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 15,36 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-016.9344 Microchip Technology DSC1001CI2-016.9344 -
RFQ
 ECAD 5512 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 16.9344 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-037.1250 Microchip Technology DSC1001CI2-037.1250 0,9480
RFQ
 ECAD 3393 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 37.125 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CI2-040.0000 Microchip Technology DSC1001CI2-040.0000 -
RFQ
 ECAD 1062 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 40 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
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