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Oscillaire (15893)

Image Numéro de Produit Prix ​​(USD) Quantité ECAD Quantité disponible Poids (kg) MFR Série Peigner ÉTAT DU PRODUIT Température de fonctionnels Notes Taille / dimension Hauteur - Assis (Max) Type de Montage Package / ÉTUI Fuseau Numéro de Protuit de Base Fréquence Triir Tension - alimentation Fiche de Donnés Statt Rohs Niveau de Sensibilité à L'humidité (MSL) Statt de Portée ECCN HTSUS Norme de package Fonction Courant - alimentation (max) RÉSONATEUR DE BASE Stabilité de la Fréquence Plage de traction absolue (APR) Répartir la Bande Passante du Spectre COURANT - ALIMENTATION (DÉSACTIVER) (MAX)
DSC1001CI5-032.7680 Microchip Technology DSC1001CI5-032.7680 -
RFQ
 ECAD 4886 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 32 768 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CI5-040.0000 Microchip Technology DSC1001CI5-040.0000 -
RFQ
 ECAD 9715 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 40 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 10 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-012.2880 Microchip Technology DSC1001CL1-012.2880 -
RFQ
 ECAD 1845 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12.288 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-012.5000 Microchip Technology DSC1001CL1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9882 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12,5 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL1-066.0000 Microchip Technology DSC1001CL1-066.0000 -
RFQ
 ECAD 9646 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-026.6600 Microchip Technology DSC1001CL2-026.6600 -
RFQ
 ECAD 8722 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26,66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001CL2-027.0000 Microchip Technology DSC1001CL2-027.0000 -
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0,126 "L x 0,098" W (3,20 mm x 2,50 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 110 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DC1-066.6600 Microchip Technology DSC1001DC1-066.6600 -
RFQ
 ECAD 8643 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif 0 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 66,66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-012.5000 Microchip Technology DSC1001DE1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9725 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12,5 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-018.1000 Microchip Technology DSC1001DE1-018.1000 -
RFQ
 ECAD 8967 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 18,1 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-019.2000 Microchip Technology DSC1001DE1-019.2000 -
RFQ
 ECAD 6836 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 19,2 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-024.0000 Microchip Technology DSC1001DE1-024.0000 0,8500
RFQ
 ECAD 2449 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 24 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DE1-030.3779 Microchip Technology DSC1001DE1-030.3779 -
RFQ
 ECAD 3166 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 30.3779 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-001.8432 Microchip Technology DSC1001DI1-001.8432 1.2600
RFQ
 ECAD 2373 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 1 8432 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-019.2000 Microchip Technology DSC1001DI1-019.2000 -
RFQ
 ECAD 8412 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 19,2 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-025.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-025.0000 1.1400
RFQ
 ECAD 9206 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 25 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-033.3000 Microchip Technology DSC1001DI1-033.3000 -
RFQ
 ECAD 1270 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33,3 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-048.0000 1.1400
RFQ
 ECAD 7098 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 48 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-060.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-060.0000 -
RFQ
 ECAD 9093 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 60 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI1-075.0000 Microchip Technology DSC1001DI1-075.0000 -
RFQ
 ECAD 7857 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 75 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 50 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-008.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-008.0000 -
RFQ
 ECAD 7302 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 8 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-012.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-012.0000 -
RFQ
 ECAD 8947 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 12 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-020.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-020.0000 -
RFQ
 ECAD 8469 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 20 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-026.6000 Microchip Technology DSC1001DI2-026.6000 -
RFQ
 ECAD 2196 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 26 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 6,3 m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-027.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-027.0000 1.2200
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 27 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-033.3333 Microchip Technology DSC1001DI2-033.3333 -
RFQ
 ECAD 2139 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 33 3333 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-048.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-048.0000 0,9100
RFQ
 ECAD 1119 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 48 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 3 (168 Heures) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-064.5000 Microchip Technology DSC1001DI2-064.5000 -
RFQ
 ECAD 5518 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 64,5 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-066.6600 Microchip Technology DSC1001DI2-066.6600 -
RFQ
 ECAD 9852 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 66,66 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 7,2 ma Mems ± 25 ppm - - 15 µA
DSC1001DI2-072.0000 Microchip Technology DSC1001DI2-072.0000 -
RFQ
 ECAD 6328 0,00000000 Technologie des micropuces DSC1001 Tube Actif -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0,098 "L x 0,079" W (2,50 mm x 2,00 mm) 0,035 "(0,90 mm) Support de surface 4-md, pas d'Avance Xo (standard) DSC1001 72 MHz CMOS 1,8 V ~ 3,3 V télécharger Rohs3 conforme 1 (illimité) Atteindre non affecté EAR99 8542.39.0001 140 Veille (Puisse) 8,7m Mems ± 25 ppm - - 15 µA
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